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國產(chǎn)刻蝕機(jī)大進(jìn)步:達(dá)到3nm,拿下國內(nèi)60%份額,逼退美企

2023-09-01 08:38:43來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀

微軟雅黑, "Microsoft YaHei";">眾所周知,在目前的芯片制造工藝中,光刻機(jī)、刻蝕機(jī)是必不可少的兩個重要工具。

如果從所有的半導(dǎo)體設(shè)備的成本來看,光刻設(shè)備占其中的20%,而蝕刻設(shè)備占其中的23%,兩者占其中的43%的比例,足以證明光刻--蝕刻有多重要了。

光刻與蝕刻也是成套使用的,光刻工藝后,就是蝕刻工藝,缺一不可,不可替代。


(資料圖片)

而光刻機(jī)方面,國內(nèi)的技術(shù)很落后,這個大家都清楚的。但刻蝕機(jī)方面,國內(nèi)的技術(shù)可不差,完全是國際先進(jìn)水平。

之所以這么強(qiáng),這是因為一家公司,那就是中微半導(dǎo)體,由尹志堯博士于2004年創(chuàng)立。

在創(chuàng)立中微半導(dǎo)體之前,尹志堯博士曾在英特爾、泛林、應(yīng)用材料等企業(yè)均工作過,積累了大量的經(jīng)驗、技術(shù)和人脈。

按照媒體的說法,尹志堯個人在半導(dǎo)體行業(yè)擁有86項美國專利和200多項各國專利,被譽(yù)為“硅谷最有成就的華人之一”。

后來他看到中國半導(dǎo)體技術(shù)相對落后,于是在2004年的時候,他帶著錢,帶著一批精英人才回國(據(jù)稱第一批是15個),創(chuàng)辦了中微,誓要打破國外的壟斷。

在2007年的時候,中微研發(fā)出了第一代介質(zhì)刻蝕機(jī),并且全球首次采用可單臺獨(dú)立操作的雙反應(yīng)臺,效率甚至比國外同類產(chǎn)品還要高30%。

然后中微不斷的努力,中微的刻蝕機(jī)技術(shù)不斷的進(jìn)步,達(dá)到了全球最先進(jìn)的水平,目前已經(jīng)被用于某晶圓廠的3nm芯片生產(chǎn)線中。

而近日,中微更是表示,中微在中國電容耦合等離子體(CCP)刻蝕設(shè)備市場的市場份額預(yù)計將從去年10月的24%增至60%。在電感耦合等離子體(ICP)工具市場,其份額可能會從幾乎為零上升到75%。

合計來看,中微今年在國內(nèi)的刻蝕市場份額,可能提升至60%,而之前占據(jù)主導(dǎo)地位的美國泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料等,全部被中微打的節(jié)節(jié)敗退了。

接下來,希望其它國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備,特別是光刻機(jī),也能夠像中微的刻蝕機(jī)一樣,達(dá)到全球先進(jìn)水平,實現(xiàn)5nm、3nm,那么中國芯片產(chǎn)業(yè),就再也不怕美國卡脖子了。

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