6月21日，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)亞半導(dǎo)體正在以IDM模式進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，今年一季度已試產(chǎn)氮化鎵，明年試產(chǎn)碳化硅，合計(jì)年產(chǎn)能約10萬(wàn)片。

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據(jù)臺(tái)亞半導(dǎo)體宣布，他們將在中國(guó)臺(tái)灣銅鑼擴(kuò)建6吋碳化硅晶圓廠和8吋、12吋氮化鎵晶圓廠，以及后段的測(cè)試、封裝廠。

目前臺(tái)亞銅鑼新廠的投資規(guī)模尚未公布，但預(yù)估僅土建部分的投資將達(dá)數(shù)十億臺(tái)幣（10億臺(tái)幣約為2.3億人民幣），建廠用地達(dá)4公頃，預(yù)計(jì)在2026年初建成并投入生產(chǎn)。

碳化硅方面，臺(tái)亞將以子公司積亞半導(dǎo)體為切入點(diǎn)——加強(qiáng)SiC外延及SiCMOSFET的生產(chǎn)制造，預(yù)計(jì)在2023年第四季前完成6吋碳化硅月產(chǎn)能3000片的建設(shè)，2024年第一季試產(chǎn)，后續(xù)產(chǎn)能將提升至每月5000片。

2021年12月，臺(tái)亞半導(dǎo)體投資近6900萬(wàn)人民幣，成立全資子公司積亞半導(dǎo)體，而積亞于2022年2月、4月對(duì)外透露了2次SiC投資信息：

●2022年2月，積亞半導(dǎo)體擬投資30億元新臺(tái)幣（約6.8億人民幣）用于建設(shè)碳化硅等項(xiàng)目，將專注于生產(chǎn)碳化硅SBD、碳化硅MOSFET。

●2022年8月，積亞半導(dǎo)體宣布將投資額增加到45億新臺(tái)幣（約10.2億人民幣），以擴(kuò)大SiC功率器件產(chǎn)能。

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在氮化鎵（GaN-on-Si）方面，臺(tái)亞計(jì)劃廠房建置初期以6吋晶圓為主，充分利用現(xiàn)有6吋生產(chǎn)設(shè)備，并增置關(guān)鍵MOCVD設(shè)備；8吋產(chǎn)線將在2023年底完成建設(shè)，目前設(shè)備型號(hào)已經(jīng)敲定（采用臺(tái)灣本土設(shè)備比率達(dá)40％）。

臺(tái)亞總經(jīng)理衣冠君表示，該氮化鎵廠將是全球少見(jiàn)的先進(jìn)功率器件廠，預(yù)計(jì)在2024年底之前達(dá)成每月3000片的出貨量，產(chǎn)品將聚焦于快充、電動(dòng)汽車、無(wú)人機(jī)等應(yīng)用。

近期，臺(tái)亞已完成第一顆650V D-mode HEMT的開(kāi)發(fā)，并進(jìn)行送樣驗(yàn)證。他們預(yù)期在少量代工單生產(chǎn)之下，氮化鎵有望在今年開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收。衣冠君認(rèn)為，明年公司氮化鎵營(yíng)收提升至30％的目標(biāo)有望達(dá)成。

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